ISL6609CBZ-T

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Intersil
ISL6609CBZ-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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Preisaktualisierung:vor einem Monat
Auf Lager verfügbar: 2398
45
Bedient Kunden in 45 Ländern
1000+
Weltweite Hersteller
$140M
$140M Wachstum in 5 Jahren
50.0M+
50 Millionen ausgelieferte Teile in 5 Jahren
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Ab dem 1. Januar 2018 werden Renesas und Intersil als ein gemeinsames Unternehmen agieren und damit die Möglichkeiten von Halbleitern erheblich erweitern. Dieser Zusammenschluss vereint die weithin anerkannten MCU- und SoC-Technologien von Renesas mit dem marktführenden Know-how von Intersil in den Bereichen Hochleistungs-Power-Management und Präzisionsanaloggeräte. Dies wiederum führt zu organischem Wachstum in den Bereichen Automotive, Industrie und anderen Sektoren und ermöglicht es dem neuen Unternehmen, schneller auf die Systemanforderungen der Kunden zu reagieren. Der Zusammenschluss von Renesas und Intersil begann mit dem Abschluss der Übernahme am 24. Februar 2017, und das vereinte "One Global Renesas" ging im darauffolgenden Juli in allen Märkten an den Start - und bündelt die Stärken beider Organisationen, um den Kundenanforderungen in einem sich schnell verändernden Marktumfeld gerecht zu werden. Diese wirklich globale Organisation bietet einen enormen Synergieeffekt. Seien Sie dabei, wenn Renesas seine führende Position auf dem globalen Halbleitermarkt ausbaut.

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ISL6609CBZ-T Products
The ISL6609, ISL6609A is a high frequency, MOSFET driver optimized to drive two N-Channel power MOSFETs in a synchronous-rectified buck converter topology. This driver combined with an Intersil ISL63xx or ISL65xx multiphase PWM controller forms a complete single-stage core-voltage regulator solution with high efficiency performance at high switching frequency for advanced microprocessors. The IC is biased by a single low voltage supply (5V), minimizing driver switching losses in high MOSFET gate capacitance and high switching frequency applications. Each driver is capable of driving a 3nF load with less than 10ns rise/fall time. Bootstrapping of the upper gate driver is implemented via an internal low forward drop diode, reducing implementation cost, complexity, and allowing the use of higher performance, cost effective N-Channel MOSFETs. Adaptive shoot-through protection is integrated to prevent both MOSFETs from conducting simultaneously. The ISL6609, ISL6609A features 4A typical sink current for the lower gate driver, enhancing the lower MOSFET gate hold-down capability during PHASE node rising edge, preventing power loss caused by the self turn-on of the lower MOSFET due to the high dV/dt of the switching node. The ISL6609, ISL6609A also features an input that recognizes a high-impedance state, working together with Intersil multiphase PWM controllers to prevent negative transients on the controlled output voltage when operation is suspended. This feature eliminates the need for the schottky diode that may be utilized in a power system to protect the load from negative output voltage damage. In addition, the ISL6609A's bootstrap function is designed to prevent the BOOT capacitor from overcharging, should excessively large negative swings occur at the transitions of the PHASE node.

Feature

  • Drives Two N-Channel MOSFETs
  • Adaptive Shoot-Through Protection
  • 0.4Ω On-Resistance and 4A Sink Current Capability
  • Supports High Switching Frequency
  • Fast Output Rise and Fall
  • Ultra Low Three-State Hold-Off Time (20ns)
  • ISL6605 Replacement with Enhanced Performance
  • BOOT Capacitor Overcharge Prevention (ISL6609A)
  • Low VF Internal Bootstrap Diode
  • Low Bias Supply Current
  • Enable Input and Power-On Reset
  • QFN Package
  • Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN-Quad Flat No Leads-Product Outline
  • Near Chip-Scale Package Footprint; Improves PCB Efficiency and Thinner in Profile
  • Pb-Free (RoHS Compliant)

Produkt-Eigenschaften

TYP BESCHREIBUNG Alle auswählen
Spannungsversorgung 4,5 V ~ 5,5 V
Logikspannung – VIL, VIH 1V, 2V
Strom – Spitzenausgang (Quelle, Senke) -, 4A
Eingabetyp Nicht invertiert
Paket Band
High-Side-Spannung – Max (Bootstrap) 36 V
Produktstatus Veraltet
Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) 8ns, 8ns
programmierbar Nicht verifiziert
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ)
Getriebene Konfiguration Halbbrücke
Befestigungsart Oberflächenmontage
Kanaltyp Synchron
Paket/Koffer 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Anzahl der Fahrer 2
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
Tortyp N-Kanal-MOSFET

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Ab dem 1. Januar 2018 werden Renesas und Intersil als ein gemeinsames Unternehmen agieren und damit die Möglichkeiten von Halbleitern erheblich erweitern. Dieser Zusammenschluss vereint die weithin anerkannten MCU- und SoC-Technologien von Renesas mit dem marktführenden Know-how von Intersil in den Bereichen Hochleistungs-Power-Management und Präzisionsanaloggeräte. Dies wiederum führt zu organischem Wachstum in den Bereichen Automotive, Industrie und anderen Sektoren und ermöglicht es dem neuen Unternehmen, schneller auf die Systemanforderungen der Kunden zu reagieren. Der Zusammenschluss von Renesas und Intersil begann mit dem Abschluss der Übernahme am 24. Februar 2017, und das vereinte "One Global Renesas" ging im darauffolgenden Juli in allen Märkten an den Start - und bündelt die Stärken beider Organisationen, um den Kundenanforderungen in einem sich schnell verändernden Marktumfeld gerecht zu werden. Diese wirklich globale Organisation bietet einen enormen Synergieeffekt. Seien Sie dabei, wenn Renesas seine führende Position auf dem globalen Halbleitermarkt ausbaut.

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